昌德微电的Planar IGBT采用先进的场终止（Planar FS）技术，结合国际领先的晶圆制程，致力于为客户提供稳定的高可靠性的产品。平衡了静态饱和压降、动态开关特性、器件的鲁棒性三者的关系，实现了低漏电、高结温、强短路能力等特性。适用于工业变频、UPS电源、太阳能逆变器、电机控制、逆变焊接等设备中，结合国际标准封装外形，满足客户个性需求。
Planar IGBT概览昌德微电的Planar IGBT采用先进的场终止（Planar FS）技术，结合国际领先的晶圆制程，致力于为客户提供稳定的高可靠性的产品。平衡了静态饱和压降、动态开关特性、器件的鲁棒性三者的关系，实现了低漏电、高结温、强短路能力等特性。适用于工业变频、UPS电源、太阳能逆变器、电机控制、逆变焊接等设备中，结合国际标准封装外形，满足客户个性需求。
产品选型| TYPE | VCES(V) | IC(A) | VCE(sat)(V) | Vth(V) | Eon(mJ) | Eoff(mJ) | Package | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| THG30N65FQKH | 650 | 30 | 2.0 | 4.8-6.6 | - | - | TO-247H | 产品规格书 立即咨询 |
| THG40N65FQKH | 650 | 40 | 2.0 | 4.8-6.6 | 3.8 | 0.55 | TO-247H | 产品规格书 立即咨询 |
| THG40N65HQKH | 650 | 40 | 2.35 | 4.8-6.6 | 3.8 | 0.45 | TO-247H | 产品规格书 立即咨询 |
| THG50N65FQKH | 650 | 50 | 2.0 | 4.8-6.6 | - | - | TO-247H | 产品规格书 立即咨询 |
| THG75N65FQKH | 650 | 75 | 2.0 | 4.8-6.6 | 8.3 | 2.8 | TO-247H | 产品规格书 立即咨询 |
| THG100N65FQKH | 650 | 100 | 2.0 | 4.8-6.6 | - | - | TO-247H | 产品规格书 立即咨询 |
| THG160N65FQKH | 650 | 160 | 2.0 | 4.8-6.6 | - | - | TO-247P | 产品规格书 立即咨询 |
| THG15N120FQKH | 1200 | 15 | 2.3 | 4.8-6.6 | 3.0 | 0.4 | TO-247H | 产品规格书 立即咨询 |
| THG25N120FQKH | 1200 | 25 | 2.3 | 4.8-6.6 | 3.6 | 0.8 | TO-247H | 产品规格书 立即咨询 |
| THG40N120FQKH | 1200 | 40 | 2.3 | 4.8-6.6 | 5.9 | 1.4 | TO-247H | 产品规格书 立即咨询 |
| THG40N120HQKH | 1200 | 40 | 3.0 | 5.2-6.8 | 8.4 | 1.0 | TO-247H | 产品规格书 立即咨询 |
| THG50N120FQKH | 1200 | 50 | 2.3 | 4.8-6.6 | 7.2 | 2.0 | TO-247H | 产品规格书 立即咨询 |
| THG50N120FQL | 1200 | 50 | 2.3 | 4.8-6.6 | 7.2 | 2.0 | TO-264 | 产品规格书 立即咨询 |
| THG75N120FQKP | 1200 | 75 | 2.3 | 4.8-6.6 | 11 | 3.9 | TO-247P | 产品规格书 立即咨询 |
| THG75N120FQL | 1200 | 75 | 2.3 | 4.8-6.6 | 11 | 3.9 | TO-264 | 产品规格书 立即咨询 |