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晶体管
晶体管包括双极型晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等,可作为一种可变开关,基于输入的电压或电流,控制流出的电流,因此晶体管可做为电流的开关,而且开关速度可以非常之快。晶体管作为一种固体半导体器件,可广泛应用在检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它领域。
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
Trench NPT-IGBT
Trench FS-IGBT
Planar NPT-IGBT
Planar FS-IGBT
RC-IGBT
IGBT
场效应晶体管(MOSFET)
Trench-MOSFET
SGT-MOSFET
Planar-MOSFET
Super Junction-MOSFET
双极型晶体管(BJT)
音频功放晶体管
功率开关晶体管
功率达林顿晶体管
可控硅
昌德微电提供单向可控硅SCR和双向可控硅Triac 。SCR是单向导通的可控硅器件,可以使用在低功率的应用比如漏电保护器。高功率的应用包括马达控制,电池充电器,电源开关以及UPS。昌德微电的SCR的电流范围覆盖0.8A-150A,电压覆盖600V-2000V,并提供多种符合行业标准的封装外形。Triac是双向导通的可控硅器件,主要用来控制交流负载。我们能提供四象限和三象限的产品。双向可控硅主要应用于白色家电包括马达控制,加热控制以及灯光控制。产品电流涵盖0.6A-120A,电压600V-2000V并能提供符合行业标准的多种封装选择。
单向可控硅
微触发单向可控硅
标准型单向可控硅
双向可控硅
三象限双向可控硅
四象限双向可控硅
二极管&整流器
昌德微电的快恢复二极管采用平面外延工艺制造,分为Ultrafast二极管、Hyperfast二极管,不同的VF与trr组合供终端客户进行选择,非常适合PFC、SMPS等各种高频应用。昌德微电的快恢复二极管拥有一个广泛的产品线,电流范围涵盖1A-200A,电压范围涵盖100V-1200V。封装形式为各类工业标准封装,包括SMD表面贴装及插件封装。 昌德微电的标准二极管电压范围600V-1600V,电流范围涵盖5A-100A。封装形式为各类工业标准封装,可用于50HZ/60HZ初级整流电路以及各种直流应用场合。
平面外延快恢复二极管
低损耗快恢复二极管
超快恢复二极管
极快恢复二极管
汽车级快恢复二极管
肖特基二极管
平面肖特基二极管
沟槽肖特基二极管
碳化硅肖特基二极管
光伏肖特基二极管
整流二极管&整流桥
标准功率二极管
整流桥
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